3D存储器件及其制造方法.pdfVIP

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本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法,该3D存储器件包括:衬底;叠层结构,包括在衬底上交替堆叠的多个第一介质层和多个置换层,叠层结构至少包括第一存储块、第二存储块以及位于第一存储块和第二存储块之间以电隔离第一存储块和第二存储块的隔离块;以及绝缘部,自隔离块的表面向衬底方向延伸以至少切断位于顶层的置换层,其中,各存储块中的置换层为栅极导体层,隔离块中且未被绝缘部贯穿的各置换层为第二介质层。该3D存储器件避免了形成连续的深槽,并通过绝缘部贯穿隔离块中位于顶层的置换层,从而截断了第一存储块与第二存

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113192964 B (45)授权公告日 2022.04.22 (21)申请号 202110449548.4 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请

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