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本申请公开了半导体器件及方法。一种实施例方法包括：在沟道区域之上形成栅极堆叠；与沟道区域相邻地生长源极/漏极区域；在源极/漏极区域和栅极堆叠之上沉积第一ILD层；通过第一ILD层形成源极/漏极接触件；通过第一ILD层形成栅极接触件，该栅极接触件与栅极堆叠实体接触；执行蚀刻工艺以部分地暴露第一侧壁和第二侧壁，该第一侧壁位于源极/漏极接触件和第一ILD层的第一界面处，第二侧壁位于栅极接触件和第一ILD层的第二界面处；形成第一导电特征，该第一导电特征与源极/漏极接触件的第一侧壁和第一顶表面实体接触；以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113178446 A
(43)申请公布日 2021.07.27
(21)申请号 202110110586.7
(22)申请日 2021.01.27
(30)优先权数据
16/869,86
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