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本发明公开了一种CVD金刚石生长基片台，包括台壳、冷却水管路、温度识别组件，台壳上表面为台面，台面上放置金刚石基片，台面分为若干个分区，每个分区内设置冷水槽，每个冷水槽通入独立控制流量的冷却水管路，温度识别组件识别每个分区的温度并调配该分区内冷却水管路的流量。基片台上方的等离子体进行气相沉积时，基片上不同的区域存在不同的温度，台面上进行区域细分，每个分区分别检测该区温度并调配该分区的冷却水流量，可以为不同的区域提供独立的冷量控制，高温区域通入更多冷却水，从而达到整个基片台温度趋向均匀的目的，提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113174590 B
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202110466092.2 C23C 16/52 (2006.01)
(22)申请日
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