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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供衬底，所述衬底上依次形成有层间介质层和金属层，所述金属层内形成有开口，所述开口暴露的所述层间介质层的表面存在第一突起缺陷；在所述金属层的表面和所述开口的侧壁及底部形成保护层，采用高密度等离子体化学气相沉积工艺去除所述保护层上存在的第二突起缺陷并沉积介质层；或者，在所述开口内填充介质层并延伸覆盖所述开口两侧的所述金属层，对所述介质层进行平坦化处理，以去除所述第二突起缺陷。本发明去除保护层或介质层表面的第二突起缺陷，从而减少或避免层间介质层表面的第一突起
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192878 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110466461.8
(22)申请日 2021.04.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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