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本发明提供一种残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件,其将位于第二有源区上的金属条设置成条形,并使条形金属条横跨第一有源区。如此能够大大缩短金属条的边缘和残留多晶硅之间的距离。则在给条形金属条和多晶硅条施加电压时,金属条和多晶硅之间的侧墙更容易被击穿,二者间的电流更容易被检测到。以提高位于多晶硅条侧边的侧墙内的残留多晶硅的检出率,进而提升残留多晶硅监测结构的监测效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113192931 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110466484.9
(22)申请日 2021.04.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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