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本发明属于半导体技术领域，提供一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管，用以克服沟槽结构的肖特基二极管的正向电流密度降低的问题，具体涉及高正向电流密度的氧化镓沟槽肖特基二极管、碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管及三维碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管。本发明的沟槽肖特基二极管中，仅有位于沟槽底部的第二金属阳极4下设置氧化物绝缘层或P型掺杂区，使得沟槽的侧壁与N型漂移区的上表面的第一阳极金属3与N型漂移区1形成肖特基接触，增大了电流的导通面积，因此能够减小比导通电阻，从而增大了正向导通电流，有效改善器件的性能
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113193053 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110553005.7
(22)申请日 2021.05.20
(71)申请人 电子科技大学
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