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一种开放式全金刚石散热结构的制备方法,属于半导体器件散热领域。通过精密机加工以实现钼板的通孔结构。接着对高质量自支撑金刚石厚板进行激光切割而得到与钼板孔形相匹配的金刚石棒,并将其填充至钼板的通孔中。随后对填充金刚石棒的钼板上下表面分别进行金刚石生长,直至实现表面金刚石全覆盖并具有一定厚度。最终通过去除钼板而获得开放式全金刚石结构,以实现高热流密度、强热流冲击、宇航空间环境等极端条件下的有效热排散。本发明采用直流电弧等离子体喷射CVD技术制备出面积大、生长速度快、厚板均匀致密,质量优异的金刚石厚板
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113146158 B
(45)授权公告日 2021.12.24
(21)申请号 202110432577.X (51)Int.Cl.
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