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本发明公开了一种偏离晶向9º锗单晶片位错密度测量方法,包括配制腐蚀液:氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液体积比为1:2.8‑3.2:1.8‑2.2;腐蚀:将锗抛光片置于花篮中,将花篮放入腐蚀液中,腐蚀时间为5‑10min,取出花篮,用去离子水冲洗干净;甩干:将花篮放入甩干机,甩干速度为800‑1200r/min,甩干时间2‑5min;用金相显微镜观察腐蚀后的锗抛光片表面位错形貌,在锗抛光片表面上以方格边长为13mm布置一定数量的测试范围,每个测试范围选取一个测试点,对各测试点位错个数计数,计算
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113188983 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110437604.2
(22)申请日 2021.04.22
(71)申请人 中国电子科技集团公司第四十六研
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