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本发明涉及一种基于脉冲激光直写技术的高密度热电厚膜器件设计及制法。在金属化衬底上,沉积交替排列的高长宽比矩形n、p型热电材料,采用脉冲激光直写技术分别对衬底上金属电极与热电材料图案化加工,并通过在特定区域制备支撑层和上电极得到完整热电器件;本发明首次将超快脉冲激光直写技术应用于热电厚膜器件加工中,可实现微米级热电堆阵列结构加工,有效提升器件集成度和输出性能。结合本发明提出的器件边缘电极“L”形结构设计,同类型热电堆可实现整列相邻排列,不同图案热电堆与电极多层结构激光直写加工具有高适配性,有效实现
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113241399 B
(45)授权公告日 2022.07.26
(21)申请号 202110505375.3 H01L 35/32 (2006.01)
(22)申请日 2021.05
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