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本发明实施例提供了一种铁掺杂硫化钴与硫化钼纳米片组装的三角纳米阵列，其中，以碳布为基底，铁掺杂硫化钴生长于所述碳布上，形成三角纳米阵列，硫化钼纳米片生长于铁掺杂硫化钴形成的三角纳米阵列上。本申请提供的铁掺杂硫化钴与硫化钼纳米片组装的三角纳米阵列，碳布作为耐酸耐碱的导电基底，在增加材料导电性的同时，还提高了材料的化学稳定性；将Fe元素掺杂到CoS2中得到Fe‑CoS2，通过电子调控来优化CoS2的电子结构，提升材料的HER催化活性；MoS2纳米片为超薄纳米片，暴露了更多的催化活性位点；本申请的铁掺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113235128 B
(45)授权公告日 2022.08.26
(21)申请号 202110448410.2 C25B 11/054 (2021.01)
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