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2023-06-16 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件，包括第一存储晶圆以及第二存储晶圆，第一存储晶圆包括彼此电连接的相变存储阵列和第一键合层，第二存储晶圆包括NAND存储阵列、以及与NAND存储阵列均电连接的第二键合层、第一驱动电路、第二驱动电路以及控制电路，第一键合层和第二键合层相键合以形成共同键合层，控制电路经第一驱动电路以及共同键合层控制相变存储阵列，控制电路通过第二驱动电路控制NAND存储阵列，由于本发明中的控制电路可以同时控制相变存储阵列以及NAND存储阵列，从而当半导体器件需要进行存储器的变更等操作时，无需借

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224070 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110492156.6 H01L 27/11582 (2017.01)

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