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反应室(100)被设计用于反应器(100),反应器用于在基底上沉积半导体材料的层;反应室包括管(110)和注射器(20)以及保持器(30),管(110)由石英制成并且具有圆柱形或棱柱形的形状并且围绕反应和沉积区;注射器(20)被布置成将前体气体注入反应和沉积区;保持器(30)被布置成在沉积过程期间支撑在反应和沉积区中的基底;石墨基座元件(10、40、50)位于管(110)的内部,用于加热反应和沉积区以及在反应和沉积区内的部件;感应器系统(60、70)位于管(110)外部,用于通过电磁感应向基座元
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113227448 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202080007290.6 (74)专利代理机构 北京安信方达知识产权代理
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