有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档共31页，其中可免费阅读30页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
提供了形成集成电路器件的方法。该方法可以包括在衬底上形成下部结构。下部结构可以包括第一VFET和第二VFET、在第一VFET和第二VFET之间的初始隔离结构、以及在初始隔离结构的相反两侧上和在初始隔离结构与衬底之间的栅极衬层。第一VFET和第二VFET中的每个可以包括底部源极/漏极区、依次堆叠的沟道区和顶部源极/漏极区以及在沟道区的侧表面上的栅极结构。初始隔离结构可以包括依次堆叠的牺牲层和间隙盖层。该方法还可以包括在下部结构上形成顶部盖层、然后通过去除牺牲层而在第一VFET和第二VFET之间形成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224162 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110148536.8
(22)申请日 2021.02.03
(30)优先权数据
文档评论（0）