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2023-06-16 发布于四川
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一种InP基纳米周期结构的制备方法，包括：在硅基InP衬底上涂覆电子束胶，将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘，利用版图设计工具按照理论曝光线条宽度减小一定倍数设计掩模图形，采用上述掩模图形对衬底进行电子束曝光和显影，利用感应耦合等离子体技术在甲烷和氢气混合气氛中刻蚀InP，利用湿法清洗去掉残胶后，得到目标线宽的InP纳米周期结构。本发明通过收缩掩模图形和降低刻蚀沉积两个步骤的协同耦合效应，既能抵消曝光过程中电子的邻近效应，提高电子束曝光均匀度，又可以减少等离子体刻蚀反应中的沉积物平铺堆积，改

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113223936 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110342868.X (22)申请日 2021.03.30 (71)申请人江苏师范大学地址

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