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本发明公开了一种集成背光探测器的超辐射发光二极管芯片及制备方法，包括外延片，所述外延片的下端面溅射有N面电极层，所述外延片的上端面溅射有P面电极层，所述P面电极层包括有源区电极和背光探测区电极；所述外延片的上端面按预设角度设有脊波导，所述外延片的上端面还沿其宽度方向设有隔离槽形成隔离区，所述有源区电极位于所述隔离槽的一侧形成有源区，所述背光探测区位于隔离槽的另一侧形成背光探测区，且在所述有源区与隔离区之间还具有无源吸收区；能够有效降低芯片后端反射率，抑制光反馈，改善超辐射发光二极管的纹波系数，进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113224643 B
(45)授权公告日 2022.07.19
(21)申请号 202110500886.6 (74)专利代理机构 重庆乐泰知识产权代理事务
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