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本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及低介电常数的笼型聚倍半硅氧烷/环氧树脂纳米复合材料及其制备方法。本发明所述的低介电常数的笼型聚倍半硅氧烷/环氧树脂纳米复合材料由改性环氧树脂、笼型聚倍半硅氧烷和光引发剂制备而成;所述改性环氧树脂均是开环改性后投入使用,在环氧树脂链上引入双键,双键的活性较高,可发生自由聚合,固化速度快,固化温度低,可在室温下通过光固化的方式固化成型,所以本发明制备的笼型聚倍半硅氧烷/环氧树脂纳米复合材料更适合作为芯片和电路板的粘结封装材料。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113201104 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 202110692506.3 (51)Int.Cl.
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