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本发明公开的属于半导体电子信息领域技术领域,具体为一种量子微纳结构光电子芯片及其制造方法,包括基底,所述基底的上方设置有发光区,所述发光区的上方设置有量子微纳结构区,所述量子微纳结构区的上方设置有覆盖区,所述发光区从下到上依次包括AlN层、AlGaN层、SL底层和光亮层,所述量子微纳结构区包括组合包层,所述组合包层的上下侧均设置有量子限制包层,下侧所述量子限制包层的下侧设置有限制层,通过采用量子三维微纳结构和特殊设计的限制层和量子限制包层,然后利用先进的电子束直写技术结合特殊外延生长结构,能够极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113241395 B
(45)授权公告日 2022.08.16
(21)申请号 202110501408.7 H01L 33/14 (2010.01)
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