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2023-06-16 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种半导体器件，包括：覆盖在源漏区以及栅极结构表面的第一富硅氧化物层，在第一富硅氧化物层的表面形成有接触刻蚀停止层。层间膜形成于接触刻蚀停止层的表面并将栅极结构之间的间隔区域完全填充。层间膜采用HDP氧化膜。第一富硅氧化物层由多层富硅氧化物子层叠加而成，各层富硅氧化物子层分开沉积使得各上下相邻的所述富硅氧化物子层之间存在界面层，通过调节界面层的层数来防止层间膜的形成工艺中的等离子体电荷穿过从而保护栅介质层。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。本发明能防止层间膜的等离子体电荷扩散到

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113224147 B (45)授权公告日 2022.06.07 (21)申请号 202110418016.4 H01L 21/28 (2006.01) (22)申请日 2021.04

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