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本发明属于半导体光电器件领域,公开了一种径向结硅量子点电致发光器件,包括刻蚀有硅纳米线阵列的硅衬底样品,所述样品表面沉积有Al2O3钝化层,所述Al2O3钝化层表面设有硅量子点/二氧化硅多层膜,所述硅量子点/二氧化硅多层膜表面沉积有TiO2层,所述TiO2层表面溅射有Au层,所述Au层上镀有ITO电极,所述硅衬底样品的背面蒸镀有铝电极。与现有技术相比,本发明通过改善电极接触和能带调控,可以显著提高器件注入电流,增强其电致发光强度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113206181 A
(43)申请公布日 2021.08.03
(21)申请号 202110489814.6
(22)申请日 2021.05.06
(71)申请人 南京
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