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本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，像素隔离结构的形成步骤包括：提供形成了有源区隔离结构的半导体衬底；形成离子注入硬质掩膜层；依次形成第一介质层、APF层和第二DARC层；涂布光刻胶并进行曝光和显影形成光刻胶图形；依次对第二DARC层、APF层、第一介质层和离子注入硬质掩膜层进行刻蚀将图形逐步转移到离子注入硬质掩膜层上；在对离子注入硬质掩膜层进行刻蚀时，APF层作为刻蚀硬质掩膜层，APF层厚度会损耗而使APF层的开口变宽；第一介质层的开口保持不变并从而使得离子注入硬质掩膜层的开口保持不
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113224095 B
(45)授权公告日 2022.06.07
(21)申请号 202110428528.9 (56)对比文件
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