半导体结构及其制造方法、半导体器件.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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半导体结构及其制造方法、半导体器件.pdf

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本发明提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，半导体结构包括：半导体基板，具有相对设置的第一表面及第二表面；硅通孔结构，贯穿半导体基板，硅通孔结构内填充有导电材料；第一空气间隙，设置在硅通孔结构的外围，且沿垂直半导体基板的方向延伸，第一空气间隙具有第一开口，第一开口位于第一表面；第二空气间隙，设置在硅通孔结构的外围，且沿垂直半导体基板的方向延伸，第二空气间隙具有第二开口，第二开口位于第二表面。本发明在硅通孔结构的外围设置两个空气间隙，降低了硅通孔变形及寄生效应对半导体结构的影响，且第一空气间

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113241335 B (45)授权公告日 2022.03.22 (21)申请号 202110371706.9 H01L 21/768 (2006.01) (22)申请日

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