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具有微流道的半导体结构、芯片堆叠结构以及制备方法.pdfVIP

具有微流道的半导体结构、芯片堆叠结构以及制备方法.pdf

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    本发明提供一种具有微流道的半导体结构、芯片堆叠结构以及制备方法，通过在半导体基板上形成阻挡层并对阻挡层进行刻蚀以得到填充槽，通过对部分厚度的半导体基板的进行刻蚀以得到初始微流道本体，之后通过对初始微流道本体侧部的半导体基板进行横向刻蚀以得到微流道本体，随后形成微流道进出口使微流道进出口与微流道本体连通，从而得到微流道，由于填充槽的宽度较小，因此容易在填充槽中形成密封层，且密封层并不会填充微流道本体。仅需一个半导体基板即可得到微流道，无需使用硅‑硅直接键合技术，降低了对半导体基板的表面清洁度要求和

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113241332 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202110469071.6 (51)Int.Cl.

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