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本发明提供了一种Mg‑Bi基层状体块晶体材料及其生长方法。所述的晶体材料的晶体结构为Mg3Bi2构型，呈现页岩状形貌；其生长方法包括步骤：在真空或惰性气氛保护下，将空置的生长晶体的非金属坩埚加热至预定温度；将熔化的Mg‑Bi基晶体生长原料液注入加热至预定温度的非金属坩埚中，通过坩埚下降法或籽晶定向生长方法进行晶体的生长，得到Mg‑Bi基层状体块晶体材料。本发明的生长方法工艺简单、成本低廉、可放大制备晶体，采用本发明生长方法得到的Mg‑Bi基体块晶体材料具有大尺寸，高质量以及规则的层状结构，在室温
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113235167 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202110469653.4 C30B 28/06 (2006.01)
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