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制造半导体装置的方法.pdfVIP

制造半导体装置的方法.pdf

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    本发明公开一种制造半导体装置的方法，半导体装置包括高压元件区以及低压元件区，且至少包括以下步骤：提供基底，基底上依序设置有底掩模层及顶掩模层；根据第一布局图案，以于基底中形成掺杂区；根据第二布局图案，以图案化基底，而于基底内形成至少两个沟槽，分别位于高压元件区内以及压元件区内；以及在图案化基底前，根据第三布局图案，以图案化高压元件区内的顶底掩模层，而形成图案化顶底掩模层，使得部分底掩模层被暴露出于顶底掩模层，其中，产生第三布局图案的步骤包括比对第一布局图案和第二布局图案，并执行布林运算。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113257804 B (45)授权公告日 2022.06.24 (21)申请号 202010089886.7 (51)Int.Cl.

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