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2023-06-16 发布于四川
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沟槽型功率MOSFET器件及工艺方法.pdf

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本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET器件,在半导体基片上具有第一外延层和第二外延层，所述第二外延层的表层中具有一层重掺杂注入层；一开口沟槽位于所述的第一外延层和第二外延层中，所述沟槽的底部位于第一外延层中，沟槽内填充多晶硅形成多晶硅沟槽栅极；在所述第二外延层与第一外延层之间，还包含有杂质浓度渐变层，杂质浓度的分布是从第二外延层底部往第一外延层的顶部逐渐降低，减少外延层在阱区底部的耗尽，从而降低短沟道器件沟道漏电以及源漏击穿的状况。杂质浓度渐变层为多层不同杂质浓度的薄的掺杂层叠加形成，其层数以及

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113224166 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110447772.X (22)申请日 2021.04.25 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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