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本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作方法为，主要先形成一图案化掩模于一基底上，然后利用图案化掩模去除基底以形成多个隆起部以及一受损层于该等隆起部上，然后去除该受损层，形成一阻障层于隆起部上，形成一P型半导体层于阻障层上，再形成一源极电极以及一漏极电极于P型半导体层两侧。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224153 A
(43)申请公布日
2021.08.06
(21)申请号 20201
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