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掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法.pdfVIP

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法.pdf

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    本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光光以给定的透射率透过的功能、和产生给定的相位差的功能，并且该相移膜可以抑制伴随着热膨胀的图案的错位。所述相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以15％以上的透射率透过的功能、和产生150度以上且210度以下的相位差的功能，该相移膜由含有非金属元素和硅的材料形成，包含依次层叠有第1层、第2层及第3层的结构，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＞n2及n2＜n3的关系，将第1层、第2层及第3层在

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113242995 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 201980084509.X (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所

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