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2023-06-16 发布于四川
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一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置的布局结构包括：多条位线，其在第一方向上延伸，并且排布在与所述第一方向相交的第二方向上；页缓冲器高电压电路，其被划分为排布在所述第一方向上的多个页缓冲器高电压区域，所述多个页缓冲器高电压区域中的每一个包括多个页缓冲器高电压元件，每个页缓冲器高电压元件联接到所述多条位线中的一条位线；以及接触焊盘单元，其包括多个接触焊盘，每个接触焊盘联接到所述多个页缓冲器高电压元件中的一个。所述接触焊盘单元在所述第一方向上排布在所述多个页缓冲器高电压区域中的两个之间。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257832 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202010848235.1 (22)申请日 2020.08.21 (30)优先权数据 10-2020-0

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