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2023-06-16 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：在存储晶圆上形成存储功能层以及第一键合层，存储功能层包括驱动电路、控制电路以及读写存储阵列，在扩容晶圆上形成扩容存储阵列以及第二键合层，将扩容晶圆翻转，并通过第一键合层及第二键合层将存储晶圆和扩容晶圆进行键合，驱动电路包括用于驱动读写存储阵列的读写驱动电路和用于驱动扩容存储阵列的扩容驱动电路，由于控制电路可同时控制读写驱动电路以及扩容驱动电路，从而有效地解决了因不同存储阵列的驱动电路由不同的控制电路控制，而导致不同存储阵列之间的数据通信较为

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113223973 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110492148.1 H01L 27/1157 (2017.01)

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