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实施例包括：第一组鳍，具有设置在第一组鳍上方的双极结晶体管(BJT)的发射极；第二组鳍，具有设置在第二组鳍上方的BJT的基极；以及第三组鳍，具有设置在第三组鳍上方的BJT的集电极。第一栅极结构设置在与发射极相邻的第一组鳍上方。第二栅极结构设置在与基极相邻的第二组鳍上方。第三栅极结构设置在与集电极相邻的第三组鳍上方。第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构物理和电隔离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257809 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202010926633.0
(22)申请日 2020.09.07
(30)优先权数据
16/785,12
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