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一种基于片上硅基光电子学的双MZ结构的低串扰光开关及光开关阵列，属于集成光电子器件技术领域。由第一输入波导、第二输入波导、第一级2×2马赫泽德干涉仪、第二级2×2马赫泽德干涉仪、第一输出波导、第二输出波导和波导交叉单元组成；上述结构位于同一层，或第二输入波导、第一级2×2马赫泽德干涉仪、第一输出波导位于同一层，第一输入波导、第二级2×2马赫泽德干涉仪、第二输出波导位于另一层；进而由其可以构建N×N单层双MZ结构的低串扰光开关阵列和M×N×N多层光开关阵列。本发明可以构成多层结构光开关阵列，节约了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113238324 B
(45)授权公告日 2022.02.18
(21)申请号 202110478692.0 G02B 6/12 (2006.01)
(22)申请日 2
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