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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    在本申请的实施例中，一种半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上方的栅极间隔件，该栅极间隔件具有上部和下部，上部的第一宽度沿远离半导体衬底的顶面延伸的第一方向连续减小，下部的第二宽度沿第一方向恒定；沿栅极间隔件的第一侧壁和半导体衬底的顶面延伸的栅极堆叠件；以及与栅极间隔件的第二侧壁相邻的外延源极/漏极区域。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257740 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202011410902.4 (22)申请日 2020.12.04 (30)优先权数据 16/787,22

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