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2023-06-16 发布于四川
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本发明提供功率放大电路、半导体器件，增强功率放大电路中的晶体管间的热耦合。功率放大电路具有：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，基于控制电流的一部分向晶体管(101)供给偏置电流；晶体管(112)，其中流动的电流伴随着温度上升而增加；以及布线部(W1)，与晶体管(111)的发射极电连接，具有对置地层叠于半导体基板(301)的第二发射极布线(202)以及凸块(203)。在俯视半导体基板(301)时，第二发射极布线(202)以及凸块(203)的至少一方从配置晶体管(10

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113225030 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110153563.4 (22)申请日 2021.02.04 (30)优先权数据 2020-0181

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