一种高居里点硅衬底铁电薄膜材料及其制备与应用.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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一种高居里点硅衬底铁电薄膜材料及其制备与应用.pdf

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本发明涉及一种高居里点硅衬底铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底以及自内向外依次沉积在衬底表面的导电缓冲层和薄膜层，所述导电缓冲层为镧锶钴氧，薄膜层为锰掺杂铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅(简写为Mn‑PIN‑PMN‑PT)，化学组成为zMn‑(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3，其中，x＝0.20～0.40，y＝0.20～0.50，z＝0.003～0.01。与现有技术相比，本发明制备的薄膜具有优良

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113215538 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110295109.2 C04B 35/495 (2006.01)

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