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改善热载流子注入的功率半导体器件.pdfVIP

改善热载流子注入的功率半导体器件.pdf

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    本发明提供改善热载流子注入的功率半导体器件，在介质槽中在漏极一侧引入漏极场板，与漏电极相连，具有同电位，改善了介质槽漏极侧空穴注入效应；在介质槽内源极一侧引入屏蔽栅场板，与源电极或地相连，构成屏蔽栅，在降低栅漏寄生电容Cgd的同时，改善了介质槽源极一侧的电子注入效应；通过深槽刻蚀的方法使载流子在路径上避开介质槽侧壁也能改善热载流子注入。本发明针对具有介质槽的功率半导体器件，提供具有长期可靠性、有低导通电阻、开关速度快的功率半导体器件结构。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113206145 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202110436194.X CN 106972061 A,2017.0

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