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物理不可克隆的功能器件(DIS)包括安装在二极管中的MOS晶体管(TR1i、TR2j)的集合，该器件具有相应的阈值电压的随机分布，并且包括N个第一晶体管以及至少一个第二晶体管。功能的至少一个输出节点是能够传递信号，信号的电平取决于使用在至少一个第二晶体管中循环的电流获得的电流与使用等于或基本上等于在N个第一晶体管中的循环的电流的平均值的参考电流获得的电流之间的比较。第一装置(FM1i)被配置为在每个第一晶体管上施加相应的固定栅极电压而不管在第一晶体管中循环的电流的值，以及第二装置(SM2j)被配
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113228557 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 201980083137.9 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所
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