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描述用于薄膜晶体管及相关制造技术的方法及设备。所述薄膜晶体管可存取安置成交叉点架构的两个或更多个存储器单元层面。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的一或多个通路图案,其可促进在所述复合堆叠内构建所述薄膜晶体管,同时使用数目减少的处理步骤。通过利用所述通路的不同群组,可使用所述制造技术来构建所述薄膜晶体管的不同配置。此外,可使用本文中所描述的所述薄膜晶体管及基于通路的相关制造技术来构造存储器装置的电路及组件(例如解码器电路系统、一或多个存储器阵列的方面之间的互连件)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113228290 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 201980083373.0 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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