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一种辉光放电质谱中高纯铟的制样方法.pdfVIP

一种辉光放电质谱中高纯铟的制样方法.pdf

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    本发明涉及一种辉光放电质谱中高纯铟的制样方法，所述制样方法包括：将高纯铟样品首先进行压片处理，得到高纯铟片；对所述高纯铟片进行刺孔处理，之后依次进行第一酸处理、第二酸处理、第三酸处理及漂洗，得到待测高纯铟样品。本发明提供的辉光放电质谱中高纯铟的制样方法，通过将高纯铟样品进行压片并刺孔，同时采用特定的三步酸处理过程，使得在辉光放电质谱中检测信号显著增强，检测信号稳定，多次检测中偏差显著减小，检测精度明显提高。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113237945 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110530105.8 (22)申请日 2021.05.14 (71)申请人 宁波江丰电子材料股份有限公司

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