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本发明属于半导体材料制备技术领域，具体公开了一种PBN坩埚氧化预处理装置、方法及其应用，所述预处理装置包括：容纳PBN坩埚的石英安瓿，石英安瓿顶部开口，在顶部开口处设有相适配的密封盖，密封盖上设有进气孔，石英安瓿设有出气孔，进气孔和出气孔分别连通进气管和出气管；抽真空装置，抽真空装置与石英安瓿相连；加热装置，加热装置被设置为用于加热石英安瓿和进气管；供气装置，供气装置与进气管相连。在砷化镓单晶生长过程，本发明方法处理过的PBN坩埚只在内壁形成氧化层，在装料过程可以有效的降低氧化层与空气接触过程中
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113213971 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110425330.5
(22)申请日 2021.04.20
(71)申请人 广东先导微电子科技有限公司
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