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本发明提供了一种单晶硅空心微针结构及其制作方法，属于微纳加工技术领域。本发明采用(100)型的双面抛光硅片，包括A面和B面；对A面和B面进行涂光刻胶，制作刻蚀窗口和腐蚀窗口；然后对A面用深硅干法刻蚀工艺对A面进行刻蚀，在A面的刻蚀窗口内形成凹槽，在A面形成腐蚀保护膜；去除A面光刻胶；然后在硅片上沉积刻蚀保护层；将A面的腐蚀保护膜去除；将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀；A面形成楔形结构，B面的腐蚀窗口内形成凹槽；最后将硅片上残留的腐蚀保护膜去除，在硅片上生成亲水性保护膜。本发明采用的加工技术仅用一次深硅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113209466 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110509927.8
(22)申请日 2021.05.11
(71)申请人 苏州揽芯微纳科技有限公司
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