- 1、本文档共30页,其中可免费阅读29页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
FINFET可包括半导体鳍,在半导体鳍中间隔开的源极和漏极区域与在它们之间延伸的沟道区域,和将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域和上部区域的至少一个掺杂剂扩散阻挡超晶格,其中上部区域具有与下部区域相同的传导率和比下部区域高的掺杂剂浓度。掺杂剂扩散阻挡超晶格可包括多个堆叠的层组,其中每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层,和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。FINFET还可包括在沟道区域上的栅极。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113228300 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 201980085367.9 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所
文档评论(0)