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本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，在有源层背离所述N型半导体层一侧设有复合电流扩展层，其中，所述复合电流扩展层包括若干个由空穴供给层及空穴势垒层所组成的周期单元，且以所述空穴供给层作为所述复合电流扩展层的接触表面；进一步地，所述空穴供给层的禁带宽度小于或等于所述空穴势垒层的禁带宽度。使所述复合电流扩展层在通过空穴供给层提供空穴的同时，并通过空穴势垒层形成有效空穴势垒高度，以此提高P型掺杂浓度，拉高材料在该区域的价带，进而有效提升电流的横向扩展能力。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113224215 B
(45)授权公告日 2022.08.02
(21)申请号 202110488179.X 审查员 陈子威
(22)申请日 2021.05.06
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