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用于去除晶体材料(例如SiC)衬底的一部分的方法，包括将衬底的表面接合到刚性载体(例如800μm厚度)，其中在相对于表面的深度处在衬底内提供表面下的激光损伤区域。具有高于25℃的玻璃化转变温度的粘合材料可以将衬底结合到载体。晶体材料沿表面下的激光损伤区域断裂，以产生包括载体和晶体材料的一部分的结合组件。晶体材料的断裂可以通过以下方式促进：(i)接近于至少一个载体边缘施加机械力以在载体中赋予弯曲力矩；(ii)当载体具有比晶体材料更大的热膨胀系数时冷却载体；和/或(iii)向晶体材料施加超声能量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113228232 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 201980087197.8 华双 ·康 叶利夫 ·巴尔卡斯
(22)申请日
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