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本发明公开了一种采用磁控溅射技术制备Ni掺杂的氧化锌铝导电膜材料的方法,首先制备出陶瓷靶材,通过溅射反应得到薄膜,在360‑550℃下退火15‑30min得到Ni掺杂的AZO薄膜。本发明在现有AZO薄膜具有的良好可见光透过性、发光性能和导电性能的基础上,从调整其成分入手,通过成分影响晶体结构,对其性能进行调整,利用Ni替代Zn,从而提高了AZO薄膜的导电能力。本发明的技术方案简单易行,薄膜厚度根据溅射时间方便可控,具有良好的应用前景。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113215545 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110513918.6
(22)申请日 2021.05.12
(71)申请人 杭州盛宣新材料科技有限公司
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