用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器.pdf

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描述了一种装置，包括成组耦合在一起的多个存储器阵列、本地写入辅助逻辑单元、和读取/写入本地列复用器，以使得由所述组中的所述本地写入辅助逻辑单元和所述读取/写入本地列复用器占用的面积小于在使用全局写入辅助逻辑单元和读取/写入全局列复用器时所占用的面积。描述了一种具有集成锁存器的双输入电平移位器。描述了一种装置，包括：写入辅助脉冲发生器，所述写入辅助脉冲发生器工作在第一电源上；一个或多个上拉器件，所述一个或多个上拉器件耦合到所述写入辅助脉冲发生器，所述一个或多个上拉器件工作在与所述第一电源不同的第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113223577 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110677418.6 G06F 30/392 (2020.01)

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