一种用于蓝宝石基底镀铝膜的量子芯片的湿法刻蚀方法.pdfVIP

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2023-06-16 发布于四川
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一种用于蓝宝石基底镀铝膜的量子芯片的湿法刻蚀方法.pdf

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本发明涉及一种用于蓝宝石基底镀铝膜量子芯片制备的湿法刻蚀方法。以蓝宝石作为衬底，清洗抛光的衬底表面；在抛光的衬底表面镀铝膜，在铝膜表面涂敷光刻胶，经曝光、显影获得有图形的掩膜芯片；将坚膜后的掩膜芯片在四甲基氢氧化铵中进行刻蚀去除与图形对应的铝膜；去除剩余全部光刻胶，获得量子芯片；其中，使用四甲基氢氧化铵刻蚀与图形对应的铝膜时，分多次进行刻蚀，每次刻蚀时间不超过1分钟，待溶解的光刻胶边缘凝固后再进行下一次刻蚀，直到铝膜被刻蚀干净。本发明不会引入额外的离子污染，节约了微波谐振腔的制备成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113215574 B (45)授权公告日 2022.02.08 (21)申请号 202110133690.8 审查员彭春玉 (22)申请日 2021.02.01

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