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本申请公开了一种存储器件,包括:衬底;栅氧,其形成于衬底上;字线,所述字线形成于所述栅氧上,所述字线的两侧的栅氧上方形成有浮栅和控制栅;浮栅和控制栅之间形成有第一隔离层,控制栅、浮栅和字线之间形成有第二隔离层;在制作存储器件的过程中,在形成浮栅的多晶硅层时,添加的反应气体包括含碳的化合物。本申请通过在制作存储器件的过程中,在形成该存储器件的浮栅的多晶硅层时,添加包括含碳的化合物的反应气体,从而使多晶硅的颗粒减小,刻蚀形成的浮栅的侧壁与衬底的夹角更垂直且平滑,从而提高了器件的擦除能力,进而提高了器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113224173 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110467092.4
(22)申请日 2021.04.28
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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