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半导体装置.pdfVIP

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    本揭露是关于一种半导体装置，包括掺杂有第一掺杂剂浓度的铅(Pb)的第一及第二源极/漏极(S/D)区域。半导体装置亦包括在第一S/D区域与第二S/D区域之间的通道区域，其中通道区域经掺杂具有第二掺杂剂浓度的铅，第二掺杂剂浓度低于第一掺杂剂浓度。半导体装置进一步包括分别与第一及第二S/D区域接触的第一及第二S/D触点。半导体装置亦包括在通道区域上方的栅电极。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257915 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110021866.0 H01L 21/335 (2006.01)

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