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本发明涉及电容领域,具体涉及一种芯片电容器及其制备方法,所述芯片电容器,包括基板、第一电极、第二电极、介电层和导电极,所述基板上设有所述第一电极,所述第一电极上表面设有所述介电层,所述介电层上端设有所述第二电极,所述第二电极的两端分别设有一个所述导电极,与所述第二电极不接触的所述导电极与所述第一电极接触,与所述第二电极接触的所述导电极与所述第一电极不接触,所述第一电极上端设有电容调整孔。该发明的一种晶片电容器,结构简单,制备加工方便,可以实现对电容的大批量微型生产,并且电容的容量可以在加工时根据
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113223857 A
(43)申请公布日 2021.08.06
(21)申请号 202110311404.2
(22)申请日 2021.03.24
(71)申请人 旺诠科技(昆山)有限公司
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