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2023-06-16 发布于四川
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有源矩阵基板及其制造方法.pdf

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一种有源矩阵基板，具备多个栅极总线、多个源极总线、下部绝缘层、层间绝缘层、多个氧化物半导体TFT、像素电极以及多个源极接触部，各氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极，其形成在基板与下部绝缘层之间，与源极总线由相同的导电膜形成，各源极接触部具有：源极接触孔，其形成于下部绝缘层和层间绝缘层，并且使1个氧化物半导体TFT中的氧化物半导体层的第1区域的一部分和源极电极的一部分露出；以及连接电极，其配置在层间绝

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257835 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202110096761.1 (22)申请日 2021.01.25 (30)优先权数据

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